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简介:半导体 氢fu酸精馏提纯系统是专为芯片制造配套超高纯氢fu酸打造的专用精制装备,全过流采用电子级高纯 PFA/PTFE 材质,无金属无石英杜绝腐蚀析出,采用亚沸低温汽化 + 负压工艺,无沸腾雾沫夹带截留超痕量杂质,配套氮气密闭保护与全自动系统,可稳定产出 SEMI G3-G5 级电子级氢fu酸,杂质含量达 ppt 级,广泛用于优良制程晶圆蚀刻、清洗工序。
详细介绍:
半导体氢fu酸精馏提纯系统是优良制程芯片制造领域提纯电子级氢fu酸的专用成套精制装备,氢fu酸腐蚀性较强,可腐蚀金属、石英等绝大多数材质,普通精馏系统的金属、石英构件会被腐蚀析出杂质,无法适配高纯氢fu酸提纯需求,该系统从材质到工艺全链路针对氢fu酸特性定制,是晶圆蚀刻工序核心配套装备。
整套系统采用专属定制化设计:材质上所有接触氢fu酸、酸蒸汽的过流部件全部采用电子级高纯模压 PFA / 改性 PTFE 氟塑料,全程无金属、无石英构件,一体成型无拼接缝隙,从根源杜绝材质腐蚀析出氟化物、金属离子污染成品;工艺上采用亚沸低温表层汽化 + 高真空负压组合方案,精准控制温度低于氢fu酸沸点,配合负压将汽化温度降至 40℃以下,全程无沸腾鼓泡、无雾沫飞溅,既避免氢fu酸高温分解产生杂质,也从根源消除气溶胶裹挟超痕量重金属、微颗粒杂质的问题;配套全程氮气正压惰性密封回路,隔绝空气中水汽、粉尘,避免氢fu酸吸水与外源污染;搭载高精度 PID 温控、多级密闭冷凝、可调回流比系统,全自动完成进料、恒精度采出、残液排放,出厂前经过 72 小时耐腐密封性、杂质截留效果全项严苛检测。
半导体氢fu酸精馏提纯系统的提纯精度远高于普通防腐精馏设备,单套系统即可稳定产出 SEMI G3 级(金属杂质≤1ppb)电子级氢fu酸,多塔串联可达到 G4、G5 级(ppt 级)超高纯标准,满足 7nm 以下优良制程晶圆蚀刻、清洗的严苛要求。可定制实验室小试、中试、百吨级工业化量产全规格机型,广泛应用于电子湿化学品厂、半导体材料企业,可提供完整的纯度检测报告与耐腐质保,是半导体级超高纯氢fu酸量产不可替代的专用精制装备。